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Irf1010epbf parâmetro de especificação: rohs: é a tecnologia: si estilo de instalação: furo pacote / caixa: a-220-3 número de canais: 1 canal do transistor polaridade: canal n-vds de drenagem fonte de tensão de ruptura: 60 v id - contínua drenagem de corrente: 81 rds no vazamento de fonte de resistência: 12 mohms vgs - grade - fonte de tensão de 20 v qg grade de carga: 86.6 nc pd dissipação
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